IRF7469TRPBF vs IRF7380TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7469TRPBF द्वारा Infineon और IRF7380TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7469TRPBF | IRF7380TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET) | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | 9 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| पैकेज | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (8-SO, SOIC-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7380TRPBF |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 73 mOhm at VGS = 10 V |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix TR) |
| Primary Application | — | High-frequency DC-DC converters |