IRF7469TRPBF vs IRF7380TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7469TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7380TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7469TRPBF IRF7380TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (Tj) —
پیکیج 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں