IRF7469TRPBF vs IRF7380TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7469TRPBF tarafından Infineon ve IRF7380TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7469TRPBF IRF7380TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (Tj) —
Paket 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin