IRF7769L1TRPBF vs IRF7779L2TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7769L1TRPBF द्वारा Infineon और IRF7779L2TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7769L1TRPBF | IRF7779L2TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | 100 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | 124 A | — |
| पल्स्ड ड्रेन करंट | 142 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 125 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.5 mOhm | 11 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | 200 nC | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| पैकेज | DirectFET Isometric L8 | DirectFET Isometric L8 |
| Package Profile | 0.7 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Lead-Free Reflow | 260C qualified | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 67 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) typical at VGS=10V | — | 7.7 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 11 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.3 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Profile Height | — | 0.7 mm |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |