IRF7769L1TRPBF vs IRF7779L2TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7769L1TRPBF מאת Infineon ו IRF7779L2TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF7769L1TRPBF | IRF7779L2TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | 100 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | 124 A | — |
| זרם ניקוז פועם | 142 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 125 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.5 mOhm | 11 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | 200 nC | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| מארז | DirectFET Isometric L8 | DirectFET Isometric L8 |
| Package Profile | 0.7 mm | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (TJ) | — |
| רמת MSL | 1 | — |
| Lead-Free Reflow | 260C qualified | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 67 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) typical at VGS=10V | — | 7.7 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 11 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.3 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Profile Height | — | 0.7 mm |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |