IRF7769L1TRPBF vs IRF7779L2TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7769L1TRPBF tarafından Infineon ve IRF7779L2TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7769L1TRPBF | IRF7779L2TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | 100 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | 124 A | — |
| Pulsed Dræn Akımı | 142 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 125 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.5 mOhm | 11 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | 200 nC | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Paket | DirectFET Isometric L8 | DirectFET Isometric L8 |
| Package Profile | 0.7 mm | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (TJ) | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Lead-Free Reflow | 260C qualified | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 67 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) typical at VGS=10V | — | 7.7 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 11 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.3 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Profile Height | — | 0.7 mm |
| RoHS Durumu | — | Compliant |