IRFB4020PBF vs IRLS3036TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB4020PBF द्वारा Infineon और IRLS3036TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFB4020PBF | IRLS3036TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 175 C (max) | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 270 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 1100 A |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 91 nC |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 380 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Integrated Body Diode | — | Yes (avalanche rated) |