IRFB52N15DPBF vs IRFS52N15DTRLP तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB52N15DPBF द्वारा Infineon और IRFS52N15DTRLP द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB52N15DPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFB52N15DPBF IRFS52N15DTRLP
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 204 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V 2.0 V to 4.0 V (typical 3 V)
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 32 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) [DATA_NEEDED: total gate charge in nC]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 230 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C —
Package Type TO-220AB (through-hole) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell) HEXFET (Planar)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Pb-free PBF suffix) Yes (matte tin)
Qualification Standard Industrial market (per IR/Infineon) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 150 V
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 25 C — 51 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 100 C — 36 A (Tc, estimated)
Continuous Drain Current (Id) @ TA = 25 C — 60 A (Ta, datasheet)
On-Resistance Rds(on) max @ VGS = 10 V — 32 mOhm
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd in nC]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss in pF]
Power Dissipation (Pd) @ TC = 25 C — 230 W (Tc)
Power Dissipation (Pd) @ TA = 25 C — 3.8 W (Ta)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC in C/W]
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA in C/W]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +175 C (junction)
पैकेज — D2PAK (TO-263) surface mount
पिन काउंट — 3 (Gate, Drain, Source) + tab
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for D2PAK)

डेटाशीट और संसाधन

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