IRFH5015TRPBF vs IRFB7545PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5015TRPBF द्वारा Infineon और IRFB7545PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH5015TRPBF | IRFB7545PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| पैकेज | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | TO-220AB (Through-Hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole (THT) |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFB7545PBF |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | — | 60 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 380 A |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-Free, PBF suffix) |
| MSL स्तर | — | N/A (Through-Hole) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |