IRFH5015TRPBF vs IRFR7546TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5015TRPBF द्वारा Infineon और IRFR7546TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH5015TRPBF | IRFR7546TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| पैकेज | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | DPAK (TO-252AA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | 20 V (max) |
| Drain Current (ID) at TC=25C | — | 71 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 99 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / PBF | — | Yes (TRPBF suffix) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS single-pulse] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |