IRFH5015TRPBF vs IRFR7546TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFH5015TRPBF bằng Infineon và IRFR7546TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFH5015TRPBF IRFR7546TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Hộp 8-PQFN (5x6) SuperSO8 DPAK (TO-252AA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (TJ max) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — 20 V (max)
Drain Current (ID) at TC=25C — 71 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 99 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Lead-Free / PBF — Yes (TRPBF suffix)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS single-pulse]
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá