IRFH5015TRPBF vs IRFR7546TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR7546TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5015TRPBF IRFR7546TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
پیکیج 8-PQFN (5x6) SuperSO8 DPAK (TO-252AA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (TJ max) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — 20 V (max)
Drain Current (ID) at TC=25C — 71 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 99 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / PBF — Yes (TRPBF suffix)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS single-pulse]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں