IRFP3710PBF vs IRFB4020PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFP3710PBF द्वारा Infineon और IRFB4020PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFP3710PBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Series | HEXFET, Fifth Generation | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 57 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W (Tc) | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 25 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 66.7 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (Tj) | — |
| पैकेज | TO-247AC (3-pin + tab) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rating | Fully Avalanche Rated | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt Rated | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | 175 C (max) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |