IRFP3710PBF vs IRFB4020PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFP3710PBF tarafından Infineon ve IRFB4020PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFP3710PBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Series | HEXFET, Fifth Generation | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 57 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W (Tc) | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 25 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 66.7 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (Tj) | — |
| Paket | TO-247AC (3-pin + tab) | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rating | Fully Avalanche Rated | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt Rated | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | 175 C (max) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |