IRFR120NTRPBF vs IRFML8244TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR120NTRPBF द्वारा Infineon और IRFML8244TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR120NTRPBF IRFML8244TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +150 C (junction)
MSL स्तर — MSL1
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
RoHS स्थिति — Compliant (Pb-free, halogen-free)
Qualification — Consumer grade

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