IRFR120NTRPBF vs IRFR9120NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR120NTRPBF द्वारा Infineon और IRFR9120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR120NTRPBF IRFR9120NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A -6.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55C to +175C -55C to +175C
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 18 nC (typical)
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
MSL स्तर — 1 (unlimited floor life)
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
RoHS स्थिति — Compliant
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

डेटाशीट और संसाधन

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