IRFR220NPBF vs IRFR220NTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NPBF द्वारा Infineon और IRFR220NTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR220NPBF | IRFR220NTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.800 ohm (max) |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | — | Low (per datasheet - HEXFET design) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 43 W |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) |
| Avalanche Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Technology Family | — | HEXFET, Planar, Generation 3 |