IRFR220NPBF vs IRFR220NTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR220NPBF توسط Infineon و IRFR220NTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR220NPBF IRFR220NTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
بسته‌بندی / کیس TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 5 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 43 W
بسته‌بندی — TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت