IRFR220NPBF vs IRFR220NTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR220NPBF بذریعہ Infineon اور IRFR220NTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR220NPBF IRFR220NTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج / کیس TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 5 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 43 W
پیکیج — TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں