IRFR4105TRPBF vs IPD30N06S215ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4105TRPBF द्वारा Infineon और IPD30N06S215ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR4105TRPBF | IPD30N06S215ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode |
| Technology | HEXFET (5th generation IR MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | 45 milliohm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | 22.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | 68 W | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free, PBF suffix) | — |
| Packaging Type | Tape and Reel (TRPBF) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Energy (E_AS) | [DATA_NEEDED: E_AS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 136 W |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free / RoHS | — | Green package (lead free), RoHS compliant |
| Gate Threshold Type | — | Logic-level compatible |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |