IRFR4105TRPBF vs IPD30N06S215ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR4105TRPBF بذریعہ Infineon اور IPD30N06S215ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR4105TRPBF IPD30N06S215ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
پیکیج TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free, PBF suffix) —
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
پیکیج / کیس — PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free / RoHS — Green package (lead free), RoHS compliant
Gate Threshold Type — Logic-level compatible
Packing — Tape & Reel (T/R)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں