IRFR4615TRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4615TRLPBF द्वारा Infineon और IRF2907ZSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR4615TRLPBF | IRF2907ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी | 109 mJ | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 75 V |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 170 A |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | — | 4.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | — | 300 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Packaging | — | Tape and Reel (left orientation) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) |