IRFR4615TRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR4615TRLPBF توسط Infineon و IRF2907ZSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR4615TRLPBF IRF2907ZSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263AB) surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (SMD)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
انرژی بهمنی تک‌پالس 109 mJ —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
جریان پیوسته درین (TC=25°C) — 170 A
جریان پیوسته درین (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
وضعیت RoHS — Compliant
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت