IRFR6215TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR6215TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR3710ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR6215TRLPBF | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -13 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 580 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 44 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |