IRFR6215TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR6215TRLPBF توسط Infineon و IRFR3710ZTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR6215TRLPBF IRFR3710ZTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت