IRFR9120NTRPBF vs IRF7319TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR9120NTRPBF द्वारा Infineon और IRF7319TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR9120NTRPBF IRF7319TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
पैकेज TO-252AA (DPAK), surface mount —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (unlimited floor life) —
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
RoHS स्थिति Compliant —
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
Configuration — N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)

डेटाशीट और संसाधन

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