IRFZ48NPBF vs IRF640NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFZ48NPBF द्वारा Infineon और IRF640NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFZ48NPBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 14 mΩ (maximum) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | 44.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC | 130 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | -55C to +150C |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET (advanced planar) | HEXFET (5th Generation) |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Qualification Standard | Industrial market | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |