IRLB3813PBF vs IRFR4615TRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLB3813PBF द्वारा Infineon और IRFR4615TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLB3813PBF IRLB3813PBF - 30V, 260A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon | TO-220AB

IRLB3813PBF - 30V, 260A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon | TO-220AB

IRLB3813PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLB3813PBF IRFR4615TRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET (HEXFET) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 260 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.95 mOhm 42 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 57 nC (typical, per Mouser snippet) 26 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 230 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C (industry typical, [DATA_NEEDED for datasheet confirmation]) —
पैकेज TO-220AB (through-hole) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
Gate Drive Level Logic-level (fully enhanced at 4.5 V VGS) —
Avalanche Rated Yes (per datasheet: fully characterised avalanche voltage and current) —
Qualification Standard JEDEC (industrial market) —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी — 109 mJ

डेटाशीट और संसाधन

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