IRLB4132PBF vs IRLL024ZTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLB4132PBF द्वारा Infineon और IRLL024ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLB4132PBF IRLL024ZTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज / केस TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
Technology — HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C
पैकेज — SOT-223 (TO-261-4)
MSL स्तर — 1 (unlimited floor life)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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