IRLB4132PBF vs IRLL024ZTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLB4132PBF bằng Infineon và IRLL024ZTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLB4132PBF IRLL024ZTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Kiểu transitor N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp / Vỏ TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
Technology — HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C
Hộp — SOT-223 (TO-261-4)
Cấp MSL — 1 (unlimited floor life)
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá