IRLB8748PBF vs IRF5305PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLB8748PBF द्वारा Infineon और IRF5305PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLB8748PBF IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLB8748PBF IRF5305PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 42 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 110 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 60 mOhm (typical)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A — [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Turn-On Delay Time (td(on)) — [DATA_NEEDED: td(on)]
Turn-Off Delay Time (td(off)) — [DATA_NEEDED: td(off)]
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
पैकेज — TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab)
Lead-Free Plating (PBF suffix) — Yes (Pb-free)
Technology — HEXFET (planar DMOS)

डेटाशीट और संसाधन

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