IRLB8748PBF vs IRF5305PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLB8748PBF بذریعہ Infineon اور IRF5305PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLB8748PBF IRF5305PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 42 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 110 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 60 mOhm (typical)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A — [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Turn-On Delay Time (td(on)) — [DATA_NEEDED: td(on)]
Turn-Off Delay Time (td(off)) — [DATA_NEEDED: td(off)]
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پیکیج — TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab)
Lead-Free Plating (PBF suffix) — Yes (Pb-free)
Technology — HEXFET (planar DMOS)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں