IRLML2030TRPBF vs IRLML2803TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML2030TRPBF द्वारा Infineon और IRLML2803TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML2030TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IRLML2030TRPBF | IRLML2803TRPBF |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET Generation V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 2.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 1.3 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 100 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 154 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 1.0 nC | — |
| पैकेज | Micro3 (SOT-23) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (junction) | — |
| MSL स्तर | MSL 1 | 1 |
| RoHS Compliance | Yes (lead-free, halogen-free) | Compliant, Halogen-Free |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Soldering | Wave-solder compatible | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.2 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 540 mW |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |