IRLML2030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML2030TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML2803TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Kemasan Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55C to +150C (junction) —
Aras MSL MSL 1 1
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) Compliant, Halogen-Free
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga