IRLML2030TRPBF vs IRLML2803TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLML2030TRPBF توسط Infineon و IRLML2803TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
بسته‌بندی Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
سطح MSL MSL 1 1
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) Compliant, Halogen-Free
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت