IRLML2030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2030TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2803TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Paket Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
MSL Seviyesi MSL 1 1
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) Compliant, Halogen-Free
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin