IRLR2705TRPBF vs IRLR2705TRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR2705TRPBF द्वारा Infineon और IRLR2705TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF - 55V N-Channel HexFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR2705TRLPBF - 55V N-Channel HexFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR2705TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLR2705TRPBF IRLR2705TRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

डेटाशीट और संसाधन

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