IRLR2705TRPBF vs IRLR2705TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR2705TRPBF מאת Infineon ו IRLR2705TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR2705TRPBF IRLR2705TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר