ISC009N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC009N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISZ072N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC009N06NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 6 60V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | 344 A | — |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 221 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Technology | — | OptiMOS 6 trench MOSFET |