ISC009N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC009N06NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 6 60V |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | 344 A | — |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 221 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Paket | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Technology | — | OptiMOS 6 trench MOSFET |