ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC015N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC0906NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC015N04NM5ATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55C to +150C (junction, typical) |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | 8 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | — |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 63 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |