ISC015N06NM5ATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC015N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSZ068N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC015N06NM5ATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mΩ @ VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| MSL स्तर | — | MSL1 |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, halogen-free |