ISC015N06NM5ATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ068N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC015N06NM5ATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mΩ @ VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| MSL Seviyesi | — | MSL1 |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, halogen-free |