ISC016N08NM8ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC016N08NM8ATMA1 द्वारा Infineon और IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC016N08NM8ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 OptiMOS™ 5 80V
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) —
पैकेज SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
RoHS स्थिति Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) 1 (per JEDEC J-STD-020)
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C
पैकेज / केस — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

डेटाशीट और संसाधन

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