ISC016N08NM8ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISC016N08NM8ATMA1 bằng Infineon và IPD046N08N5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISC016N08NM8ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 OptiMOS™ 5 80V
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) —
Hộp SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Trạng thái RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +175 °C
Hộp / Vỏ — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá