ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC058N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC059N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 - 40V 63A 5.8mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC058N04NM5ATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | 16 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55 C to +150 C |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |