ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC060N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC037N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC060N06NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon

ISC037N12NM6ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC060N06NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
पैकेज PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Configuration Single N-Channel —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) -55C to +175C (junction)
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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