ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC037N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC060N06NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Paket PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Configuration Single N-Channel —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) -55C to +175C (junction)
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] —
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin