ISC060N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC060N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISZ072N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC060N06NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15.2 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (60V generation) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Gate Drive | Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | 3.3 V (typ) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |