ISC060N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC060N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Paket PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 6 trench MOSFET
Configuration Single N-Channel —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3.3 V (typ)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin